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2021-06
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2021-01
“十四·五”我国高性能聚烯烃产品开发如何搞？技术发展趋势如何？
高性能聚烯烃是先进合成树脂的发展重点之一。近年来，催化剂技术(如茂金属催化剂)、聚合工艺、聚合物加工技术等方面发展迅速，新型催化剂设计手段与调控手段(如金属–金属协同效应、配体次级配位效应、配体–底物效应、氧化–还原调控等)、新型非均相聚合方法(如自稳定沉淀聚合)，成为高性能聚烯烃高效制备的有效途径。
2021-01-14
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2021-01
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2021-01
光伏电池来到了一个技术变革的关键期。异质结电池普遍被认为是未来具有希望替代现有PERC电池的两种电池技术之一。近日，在泰州举行的首届“太阳谷”异质结论坛上，业内人士普遍认为，异质结电池大规模产业化即将到来。
2021-01-06
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2020-12
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2020-12
Omdia：28nm将在未来5年成为半导体应用的长节点制程工艺
在摩尔定律的指引下，集成电路的线宽不断缩小，基本上是按每两年缩小至原尺寸的70%的步伐前进。如2007年达到45nm，2009年达到32nm，2011年达到22nm。28nm工艺处于32nm和22nm之间，业界在更早的45nm(HKMG)工艺，在32nm处引入了第二代 high-k 绝缘层/金属栅工艺，这些为28nm的逐步成熟打下了基础。2013年是28nm制程的普及年，2015~2016年间，28nm工艺开始大规模用于手机应用处理器和基带。晶圆上平面设计的极限在28nm可以达到很优化成本。相对于后续开始的16/14nm需要导入FinFET工艺，晶圆制造成本会上升至少50%以上，只有类似于手机这种有巨大体量的应用领域可以分摊成本。在许多非消费类的相关应用中，28nm的工艺稳定性，以及性能和成本的参数，都是非常具有性价比的。
2020-12-04
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2020-09
在VLSI 2020上，IMEC发表了有关单片CFET的有趣论文，我有机会采访了其中一位作者Airoura Hiroaki。在业界众所周知，FinFET(FF)即将达到其定标寿命。三星已经宣布，他们将在3nm的时候转向水平纳米片(Horizontal Nanosheets ：HNS)。台积电(TSMC)保持3nm的FF，但预计将转移到2nm的新架构。
2020-09-16
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2020-02
专注于电子新材料前驱体的研发及产业化，成为先进电子材料国产化的领跑者
